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方钼靶
方钼靶是钼靶产品中的一种。
物理性质如下所示：密度：10.2克/立方厘米，熔点：2610℃，沸点：5560℃，纯度：≥99.95%，形状：方形。
性能：方钼靶具有高熔点、高电导率、较低的比阻抗、较好的耐腐蚀性及良好的环保性能。
用途：在电子行业中, 钼溅射靶材主要用于平面显示器、薄膜太阳能电池的电极和配线材料以及半导体的阻挡层材料。 除了平面显示器行业外，随着和新能源行业的发展，钼溅射靶材在薄膜太阳能光伏电池上的应用也逐渐扩大。
性能要求：为了提高方钼靶的溅射率和确保沉积薄膜的质量，对其性能有如下几点要求。
1.纯度：高纯的的钼靶，溅射薄膜的性能越好。一般钼靶的纯度需要达到99.95%，但随着LED行业玻璃基板尺寸的不断提高，要求配线的长度延长、线宽变细，为了保证薄膜的均匀性以及布线的质量，因此对钼靶的纯度要求也相应提高。因此，钼靶用于制备玻璃基板其纯度要求在99.99%~99.999%，甚至更高。
2.密度要求：在溅射镀膜的过程中，致密度较小的钼靶受轰击时，由于钼靶内部空隙内存在的气体突然释放，造成大尺寸的靶材颗粒或微粒飞溅，或成膜后膜材受第二次电子轰击造成微粒飞溅，因而降低薄膜的质量。其相对密度在98%以上。
3.晶粒尺寸及尺寸分布：通常钼溅射靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。细小尺寸晶粒钼靶的建设速率要比粗晶粒快。而晶粒尺寸相差较小的靶，在淀积薄膜的厚度分布也较均匀。
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