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方鉬靶
方鉬靶是鉬靶產品中的一種。
物理性質如下所示:密度:10.2克/立方釐米,熔點:2610℃,沸點:5560℃,純度:≥99.95%,形狀:方形。
性能:方鉬靶具有高熔點、高電導率、較低的比阻抗、較好的耐腐蝕性及良好的環保性能。
用途:在電子行業中, 鉬濺射靶材主要用於平面顯示器、薄膜太陽能電池的電極和配線材料以及半導體的阻擋層材料。 除了平面顯示器行業外,隨著和新能源行業的發展,鉬濺射靶材在薄膜太陽能光伏電池上的應用也逐漸擴大。
性能要求:為了提高方鉬靶的濺射率和確保沉積薄膜的品質,對其性能有如下幾點要求。
1.純度:高純的的鉬靶,濺射薄膜的性能越好。一般鉬靶的純度需要達到99.95%,但隨著LED行業玻璃基板尺寸的不斷提高,要求配線的長度延長、線寬變細,為了保證薄膜的均勻性以及佈線的品質,因此對鉬靶的純度要求也相應提高。因此,鉬靶用於製備玻璃基板其純度要求在99.99%~99.999%,甚至更高。
2.密度要求:在濺射鍍膜的過程中,緻密度較小的鉬靶受轟擊時,由於鉬靶內部空隙記憶體在的氣體突然釋放,造成大尺寸的靶材顆粒或微粒飛濺,或成膜後膜材受第二次電子轟擊造成微粒飛濺,因而降低薄膜的品質。其相對密度在98%以上。
3.晶粒尺寸及尺寸分佈:通常鉬濺射靶材為多晶結構,晶粒大小可由微米到毫米量級。細小尺寸晶粒鉬靶的建設速率要比粗晶粒快。而晶粒尺寸相差較小的靶,在澱積薄膜的厚度分佈也較均勻。
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