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磁控濺射鉬靶
磁控濺射鉬靶的工作原理是電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞,使其電離產生出Ar正離子和新的電子,新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,並以高能量轟擊靶表面,使靶材發生濺射。
在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產生的二次電子會受到電場和磁場作用,產生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移,簡稱E×B漂移,其運動軌跡近似於磁控濺射一條擺線。若為環形磁場,則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,它們的運動路徑不僅很長,而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內,並且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材,從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠離靶表面,並在電場E的作用下最終沉積在基片上。
磁控濺射鉬靶具有強度大、耐高溫、耐磨損、耐腐蝕等多種優良性能,其純度為99.95%,密度10.2克/立方釐米,熔點2610℃,沸點5560℃。根據鉬靶的形狀類型包括矩形磁控濺射鉬靶、圓形磁控濺射鉬靶和圓柱管磁控濺射鉬靶。濺射靶材主要應用於電子及資訊產業,如積體電路、資訊存儲、液晶顯示幕、鐳射記憶體、電子控制器件等。另外,它也可應用於玻璃鍍膜領域,還可以應用於耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業。
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