三氧化钼

三氧化钼三氧化钼是由金属原子Mo在中心、氧原子在角边的[MoO6]八面体为基本结构单元,共角、形成链连接,每两个相似的链共边连接形成层状的MoO3化学计量结构,层与层之间靠范德华力作用而交错堆积排列。

三氧化钼具有层状结构和框架很重要,其中存在着广延的通道,可用作离子的流通渠道和嵌入位置。开放的三氧化钼晶体结构和它的水化物都是H+,Li+及其他离子的良好离子注入主体。这一优良特性使其在信息显示与储存、催化剂、传感器等领域具有广阔应用前景。三氧化钼具有电致变色、抑烟-阻燃、催化降解以及气敏特性等。笔者综述了三氧化钼的性能及其应用。

三氧化钼质量:可满足"GB3649 - 87"标准的质量要求。三氧化钼形状:粉末 - 尺寸16毫米最大。

三氧化钼牌号及化学成分

牌号

化学成分

Mo
Min%

S

Cu

P

C

Sn

Sb

 

Max%

YMo 55.0-A

55.0

0.10

0.15

0.25

0.04

0.10

0.05

0.04

YMo 52.0-A

52.0

0.10

0.15

0.25

0.05

0.15

0.07

0.06

YMo 55.0-B

55.0

0.10

0.15

0.40

0.04

0.10

0.05

0.04

YMo 52.0-B

52.0

0.15

0.25

0.50

0.05

0.15

0.07

0.06

YMo 50.0

50.0

0.15

0.25

0.50

0.05

0.15

0.07

0.06

YMo 48.0

48.0

0.25

0.30

0.80

0.07

0.15

0.07

0.06

三氧化钼具有广泛的工业用途。其主要用途是作为钢铁和其他抗腐蚀合金的添加剂。三氧化钼也用于钼产品生产,工业催化剂,颜料,一种作物养分,是玻璃,陶瓷和搪瓷,为聚酯,聚氯乙烯树脂阻燃剂的组成部分,作为一种化学试剂。职业暴露的预期。三氧化钼通过动物实验数据屏幕上,进行了初步的毒理学评价,并正在带来了协商,致癌物质鉴定委员会。

三氧化钼制备方法

制备方法  优点 缺点
蒸镀法  设备简单,易于操作  薄膜与基底结合不牢固,容易剥落;
设备昂贵,技术复杂,不易于大面积生产均匀的氧化物薄膜 
电化学沉积法  1)易于大面积薄膜的制备;
2)通过控制电位(或者电流)及溶液组成等可以控制薄膜的组成;
3)通过控制沉积时的电量可以控制薄膜的厚度及表面形貌;
4)不需要高真空、高温,不需要使用危险气体,方法简便安全 
薄膜通常比较疏松,内部含有较多水分;
基体表面上晶核的生长及长大速度不能控制,晶体结构不规则,一般为多晶结构 
溅射法 1)衬底温度较低;
2)制备的薄膜结晶性好,可获得外延单晶膜;
3)薄膜的性能好
溅射的生长速率慢,薄膜成分与靶材有一定偏差
溶胶-凝胶法  1)能够精确控制薄膜的组分和掺杂;
2)易于制备大面积薄膜,适于大批量生产,设备简单,成本低;
3)与集成工艺兼容,适于制作铁电集成器件 

薄膜的致密性较差,易出现龟裂现象;
工艺参数较难掌握

溶胶-凝胶法制备MoO3薄膜

首先,以CH3COCH2COCH3, MoO3,C6H5CH3和HOCH2CH2OCH3为原料合成三氧化钼溶胶和凝胶。
凝胶的热重和差热分析显示三氧化钼的晶化出现在508℃附近的140℃范围内。

然后,利用旋转涂布法在硅(111)基片上通过450℃退火处理制备了三氧化钼薄膜。通过XRD和FT-IR表征表明薄膜为α-MoO3相。通过SEM表征表明,薄膜中晶粒分布均匀致密,在基片表面无择优取向,晶粒尺度范围在0. 5~1. 0μm。

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